2、引晶
2.1 步骤
2.1.1 待光圈适合后给以埚转。根据工艺要求给定埚转速度。 2.1.2 启动“晶慢升”电源,进行上拉引晶操作。
2.1.3 按阶梯分段进行速度调整,此时,晶升速度不宜≥5.0mm/min,直径约3~5mm,长度约100~150mm。 2.2 用具
碳素笔、生产记录 2.3 流程图
启动晶升/降电源
调晶速归零 引晶
调埚速 梯级提升晶速 2.4 说明
2.4.1 梯级调整必须观察炉内细径情况,不能使细径小于3mm; 2.4.2 在此阶段易出现细径拉断现象,否则重复下种工作;
2.4.3 引出的细径符合晶向要求,(即在固液交接面的圆晶出现四个点<100>晶向);
3、缩颈
3.1 引晶结束后,开始进行缩颈;当用方籽晶引晶后,调整温度,之后快速缩径操作。
3.1.2 观察光圈变化情况,当光圈周围出现针状现象时,立即提升拉速;当光圈转圆且向内回收时,立即降低拉速;拉速范围控制在1.0~5.0mm内(建议值) 3.1.3 通过缩颈,控制缩颈直径在4~6mm左右,长度在规定范围之内;并且注意到温度合适之后,即拉速趋于平稳状态时,完成缩颈操作。 3.2 用具
碳素笔、生产记录 3.3 流程图
缓慢控制拉速,拉出葫芦状单晶
快速控制拉速,进行缩径 15
光圈出现棱线升速,变圆降速 符合规定直径、长度后,降拉速 缩颈
3.4、注意事项
3.4.1、缩径过程中,操作者应可以看到4条对称的晶线。
(七)放肩和转肩 1、放肩
1.1 步骤
1.1.1 逐渐降拉速到0.30~0.40mm/min,进行放肩;
1.1.2观察晶体的生长情况,光圈开始逐渐出现晶线开口变大现象,当晶体光圈转圆时应适当降温,晶体晶线变化为:开口-开口增大-开口不变-开口闭合(转肩后);此时,为合适的晶体生长温度,不再降低温度;使细颈逐渐长大到规定的直径,需要通过测径仪测量晶体直径生长情况。
1.1.3 当炉内温度过低时,光圈晶线处将变方,此时适当提高拉速,同时停止降温操作;
1.1.4 当晶体直径生长接近预定直径内时,应使用“测径仪”测量实际直径,防止直径过大; 1.2 用具
测量仪、碳素笔、生产记录 1.3 流程图
降拉速为放肩速晶线开口 晶线开口变大 晶线开口不变
放肩
1.4、注意事项
1.4.1、放肩时降温不要浮动太大。
1.4.2、要随时观察放大的情况,防止直径过大。
2、转肩
2.1 步骤
2.1.1 在晶体直径生长变大时,用“测径仪”来测量晶体直径状况;
2.1.2 当晶体直径接近规定要求时应提前进行转肩,根据生长情况和快慢逐渐提升拉速,并控制晶体直径生长到规定范围内;
2.1.3 观察光圈变化,晶体放大得到抑制,逐渐出现光圈,光圈明显增大呈现稳
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定趋势,光圈开口闭合,即出现降速信息后立即降低拉速到指定投入拉速范围内; 2.1.4 压光圈在“依尔根”内圈三分之一和三分之二之间,稳定后此刻为等径信号; 2.2 用具
测量仪、碳素笔、生产记录 2.3 流程图
直径达到规定, 梯级提升拉速
2.4 注意事项
观察光圈,放 大得到抑制 光圈现现,并呈 现稳定趋势 立即降速 到投入拉速 对依尔根 压光圈 转肩
2.4.1、初投拉速要符合工艺要求。 2.4.2、给定合适的埚升比随动。 2.4.3、转肩时拉速不宜提得过快。
2.4.4、将测径仪放在观察窗上一定要放平,固定测径仪的螺栓要用力固定,不要使测径仪的架子松动。
2.4.5、测径仪测出的直径与实际直径会有一定的误差,且不稳定,故我们要经常对其做出比较,做到心中有数。
(八)等径和收尾 1、等径
1.1 步骤
1.1.1 转肩结束后,将晶位“计长”清零,开启“埚跟比”,先投“温度自动控制”; 1.1.2 待“直径信号”稳定后,投“直径控制”按钮;
1.1.3 待“直径信号”不大时,即接近零时,按生产记录要求做好生产记录,按每半小时分别记录:“项目、时间、电压、电流、功率、晶位、埚位、晶升速度、埚升速度、欧陆值、欧陆输出、温校速率、温校输出、晶体直径、测量直径、真空度。 1.2用具
测量仪、碳素笔、生产记录
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1.3 流程图
启动埚升
启动埚跟比 计长清零 等径
启动温度自控 启动直径自控 1.4说明
1.4.1、埚跟比18英寸坩埚6英寸单晶为0.115mm/ min 1.4.2、ф6\直径要控制在154---156mm
2、收尾
2.1 步骤
2.1.1 待等径过程完成后,即可进入“收尾控制”;
2.1.2 将“埚跟比”适当调小,计长清零,开启“收尾控制”;
2.1.3 观察光圈的变化来提升“温校速率”提升炉内功率,当功率上升缓慢时可以直接提高欧陆数值改变功率.
2.1.4 收尾结束后,降低“埚位”,熔体离单晶约20~30mm,停止“晶升”电源,逐步停止“晶转”速度到零,停止“晶转”电源和埚转电源。 2.2 用具
碳素笔、生产记录 2.3 流程图
减小埚跟比
计长清零 降低埚位距 晶体约20mm 收尾
温校、拉速 综合控制 启动收尾控2.5 注意事项
2.5.1、收尾直径越细(尾长一般约120~150mm)是为了排除位错,提高成品合格率。
2.5.2、杜绝收断尾,收尾不好会产生位错,严重影响成品率。
(九)停炉
1、步骤
1.1、停止“晶升”电源,停止“晶转”电源,转速按梯级数字逐步降为零,停止“埚转”电源。同时降温停炉。
1.2、保留“计算机”电源、“真空”电源、“主泵”电源,继续通入“氩气”,晶
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体冷却在6小时(即“热系统”件不发红即可开炉)。
1.3、关闭“真空阀门”,再关“真空泵”按钮,关闭“真空泵”,记录单晶炉的“热后真空值”及“压升率”是否符合规定要求; 2、用具
碳素笔、生产记录 3、流程图
停晶升、晶转 (梯级降速)、埚转电源
停炉
保留主泵、微机、真空电源 氩气 不停 按规定时间关闭球阀、主泵,停氩气 测定热后真空、压升率 4、注意事项
4.1、热后真空须是极限真空值,一般保持停Ar后真空泵运转不少于30分钟; 4.2、压升率为关闭球阀后,炉内真空度的保持情况,正常为<1Pa/3min; 4.3、当热后真空值及压升率符合设备规定要求,可以连续开炉。 4.4、停加热时要分次降温。
(十)清炉 1、取出晶体
1.1、步骤
1.1.1、启动“晶升”将晶体提升到副室内。
1.1.2、开启单晶炉“氩气进气总阀门”,打开单晶炉“副室炉门”处的“紧固螺栓”,观察“副室压力表”,冲气使炉内压力恢复为“零”,此时单晶炉翻板阀观察窗将自动顶开,关闭单晶炉“氩气进气总阀门”,将晶体升至副室炉筒。 1.1.3、启动“液压”系统按钮,启动“卸荷”开关,启动“副炉室”开关,升副炉室到位,旋开副炉室;
1.1.4、启动“晶降”开关,将晶体降到“接晶筒”内,用“斜口钳”从晶体细颈最细位置处剪断晶体,将晶体放到晶体存放区域,专人交品管部门。
1.1.5、从“籽晶重锤”处,抽出“钼卡”,取下籽晶并放置在“籽晶存放盒内”,将“钼卡”放回卡头;
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